黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.0±0.2 μm，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右；采用氧化铝及氮化硅钝化制备的黑硅PERC 多晶太阳电池，WT-2000 测得其少子寿命达到33 μs；开路电压提升了15.2 mV，短路电流提高了0.372 A，效率达到20.06%。

（来源：微信公众号“太阳能杂志光伏盒子”作者：于琨等）

01实验准备及制备流程

1.1 实验准备

1) 物料：采用p 型多晶硅片，尺寸规格为156.75±0.25 mm，厚度为190 μm，电阻率为1～3 Ω•cm。

2) 化学品：时创PS30 抛光剂，台湾长阳IP1257-L 型氧化铝浆料。

3) 检测设备：膜厚测试设备SE400 椭偏仪、D8-4 积分反射仪、少子寿命测试仪WT-2000、JJ224BC 电子天平、蔡司Axio Scope A1 显微镜、Gemini Sigma 300 SEM 场发射扫描电镜、I-V 测试设备Berger PSS10。

1.2 制备流程

采用氧化铝浆料制备黑硅PERC 多晶太阳电池的工艺流程为：①黑硅制绒→②扩散→③刻蚀去PSG →④背面抛光→⑤印刷氧化铝浆料/ 烧结→⑥ PECVD 正面镀膜→⑦ PECVD 背面镀膜→⑧激光开槽→⑨印刷烧结测试→⑩电注入退火。相对黑硅多晶太阳电池的制备，增加了步骤④、⑤、⑦、⑧、⑩。